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半導體器件的集成化,高密度化,熱處理由過去的一個元件工藝處理,到至今的多元件連續工藝處理,以是現在我們所研究的課題。我社常年所培育的紅外線加熱金面反射爐的快速加熱技術,從研究開發到生產製作為一體的科研和生產體制充分體現於多式樣連續化熱處理的紅外線燈管加熱裝置RTA系列的商品化。式樣尺寸為450mm~4200mm。從矽片到化合物,在細微的技術方面我們都會滿足用戶的需求。用途 注入離子後的活紅外線加熱性化退火。 氧化薄膜生成退火。 歐姆電極的燒結。 PZT, SBT等強誘導體薄膜的結晶化退火。 發光素子,紅外線加熱半導體激光基板的退火。